SI5902DC-T1-GE3_AP4224GM導讀

針對這種需求，新潔能生產出內阻小，抗過電流能力好的N溝道溝槽工藝MOS管——NCE80H12，NCE80H12的導通電阻小于6mΩ，輸出電流可達120A，電機扭矩較好，。

除了上述適用于電動車控制器的NCE80H12以外，南山電子還提供風華阻容感，長晶二三極管MOS管，愛普生有源無源晶振等。

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SSM9926-A

NCE3019AS NCE3045G NCE3400AY NCE30ND07S NCE8601B 。

戰后，Zandman移民到法國，獲得機械工程、應用機械和普通物理的學位，在巴黎的Sorbonne大學獲得機械物理的博士學位。可以說，在那段較黑暗的日子里Zandman學習掌握的知識為他開創Vishay奠定了基礎。在不見天日的17個月里，Zandman的叔叔教他代數、三角、幾何和物理。。Zandman于1928年生于波蘭，在二戰納粹大屠殺期間，Zandman外婆曾經救助過的老管家收留了Zandman，他和其他四個人在管家家的地板下躲藏了17個月，才得以逃過了大屠殺。1956年，Zandman移居到美國，并在1962年創辦了Vishay。

圖四類MOSFET和它們的圖形符號。 。功率MOSFET普通很少選用P溝道，由于空穴的遷移率比電子的遷移率低，相同的溝道尺寸，P溝道的晶體管比N溝道的導通電阻大。依照導電溝道和溝道構成的過程兩點來分類，MOS管能夠分為：P溝增強型MOS管、P溝耗盡型MOS管、N溝增強型MOS管和N溝耗盡型MOS管。

MOS管規格書中有三個寄生電容參數，分別是：輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Crss。該三個電容參數具體到管子的本體中，分別代表什么？是如何形成的？。

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AP9962AGM-HF

NCE3020K NCE3025Q NCE3035K NCE3025G NCE3030K 。

一方面是結構上小功率MOSFET三個電極在一個平面上，溝道不能做得很短，溝道電阻大。圖中MOSFET的結構是不合適運用在大功率的場所，緣由是兩個方面的。另一方面是導電溝道是由外表感應電荷構成的，溝道電流是外表電流，要加大電流容量，就要加大芯片面積，這樣的結構要做到很大的電流可能性也很小。

NCE2060K NCE2090K NCE20H11K NCE20H18 NCE20H20 。

NCE6802 NCE30H29D NCEB301Q NCEB301Q NCEB301G 。

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而鋰電池保護板的主要作用：1過充電保護， 2短路保護， 3過電流保護，4過放電保護， 5正常狀態。

電芯相當于鋰電池的心臟，而鋰電池保護板主要由保護芯片（或管理芯片）、MOS管、電阻、電容和PCB板等構成。

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