BYM81080_STS2DNF30L導讀

功率半導體的核心是PN結，從二極管、三極管到場效應管，都是根據PN結特性所做的各種應用。場效應管分為結型、絕緣柵型，其中絕緣柵型也稱MOS管（Metal Oxide Semiconductor）。根據不通電情況下反型層是否存在，MOS管可分為增強型、耗盡型——。

這個電流通路的電阻被稱為MOS管內阻，也就是導通電阻。這個內阻大小基本決定了MOS管芯片能承受得多大導通電流（當然和其它因素有關，如熱阻）。內阻越小承受電流越大（因為發熱小）。

BYM81080_STS2DNF30L" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113369306930.jpg" />

BYD6456

NCE3404Y NCE3400A NCE3400 NCE30ND07AS NCE3008N 。

至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。。對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。

。MOS管的導電溝道，能夠在制作過程中構成，也能夠通過接通外部電源構成，當柵壓等于零時就存在溝道（即在制作時構成的）稱為耗盡型，在施加外部電壓后才構成溝道的稱為增強型。

BYS3105 BYP3105 BYJ31020A BYH31012A BYJ31012A BYP3104 BYF31010A BYP31013A BYS31010A BYH31055 。

BYM81080_STS2DNF30L" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113473287328.jpg" />

AFN4906WS8RG

BYM4610 BYM4640 BYM4875 BYM81080 BYM81095 BYM826 BYM8311 BYM8315 BYH8415 BYM8415 。

NCE3075Q NCE3015S NCE3400E NCE3065K NCE3095AK 。

BYP31036 BYD31010A BYD31024A BYP31017 BYS31018 BYF3104 BYH3108 BYF3109 BYM31032 BYN31333A 。

MOS管寄生電容結構如下，其中，多晶硅寬度、溝道與溝槽寬度、G極氧化層厚度、PN結摻雜輪廓等都是影響寄生電容的因素。。

BYM81080_STS2DNF30L" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113372847284.jpg" />

而在鋰電池保護板中重要的就是保護芯片和MOS管。

NCE25TD135LP NCE1608N NCE18ND11U NCE3134 NCE20ND07U 。

相關資訊