BYH3108_AP4232BGM-HF導讀

今天給大家介紹一款適用于鋰電池保護板可替代AO3401等MOS管的國產場效應管：NCE3401。

這個電流通路的電阻被稱為MOS管內阻，也就是導通電阻。這個內阻大小基本決定了MOS管芯片能承受得多大導通電流（當然和其它因素有關，如熱阻）。內阻越小承受電流越大（因為發熱小）。

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FDS6894A-NL

勢壘電容：功率半導體中，當N型和P型半導體結合后，由于濃度差導致N型半導體的電子會有部分擴散到P型半導體的空穴中，因此在結合面處的兩側會形成空間電荷區（該空間電荷區形成的電場會阻值擴散運動進行，較終使擴散運動達到平衡）；。

BYS3105 BYP3105 BYJ31020A BYH31012A BYJ31012A BYP3104 BYF31010A BYP31013A BYS31010A BYH31055 。

原因是導通電阻小，且容易制造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。

MOS管規格書中有三個寄生電容參數，分別是：輸入電容Ciss、輸出電容Coss、反向傳輸電容Crss。該三個電容參數具體到管子的本體中，分別代表什么？是如何形成的？。

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APM9948KC-TRL

圖中MOSFET的結構是不合適運用在大功率的場所，緣由是兩個方面的。一方面是結構上小功率MOSFET三個電極在一個平面上，溝道不能做得很短，溝道電阻大。另一方面是導電溝道是由外表感應電荷構成的，溝道電流是外表電流，要加大電流容量，就要加大芯片面積，這樣的結構要做到很大的電流可能性也很小。

NCE3020K NCE3025Q NCE3035K NCE3025G NCE3030K 。

擴散電容：當外加正向電壓時，靠近耗盡層交界面的非平衡少子濃度高，遠離非平衡少子濃度低，且濃度自高到底逐漸衰減直到0。該現象中電荷積累和釋放的過程與電容器充放電過程相同，稱為擴散電容。當外加正向電壓增大時，非平衡少子的濃度增大且濃度梯度也增大，外加電壓減小時，變化相反。

BYN31028Z BYN31024A BYG31013A BYN31095 BYJ31040 BYM31013A BYH31015-X BYH31015 BYS31030 BYF31040 。

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NCE20ND06 NCE2008N NCE2312 NCE2312A NCE8205A 。

MOS管NCE3401是一款-30V漏源電壓，4.2A電流，SOT-23封裝的P溝道MOS管。。

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