BYM3615_UPA1870GR導讀

功率半導體的核心是PN結，從二極管、三極管到場效應管，都是根據PN結特性所做的各種應用。場效應管分為結型、絕緣柵型，其中絕緣柵型也稱MOS管（Metal Oxide Semiconductor）。根據不通電情況下反型層是否存在，MOS管可分為增強型、耗盡型——。

VentureCraft是在這方面打頭陣的一家公司，其在高分辨率便攜式放大器、音樂播放器和頭戴耳機放大器(包括廣受歡迎的SounDroid Vantam產品線)研發領域處于領先水平。。盡管高分辨率技術目前在音頻市場上才剛剛起步，但其演變已然展開。

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BYS36580A

BYP31538 BYP31510 BYP31575 BYH31574 BYD31523A BYH31532 BYM31580 BYH31519 BYS31535 BYM31545 。

原因是導通電阻小，且容易制造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。

BYS3105 BYP3105 BYJ31020A BYH31012A BYJ31012A BYP3104 BYF31010A BYP31013A BYS31010A BYH31055 。

MOS管3306產品特征 1、RDS(on)=7mΩ@VGS=10V 2、無鉛綠色設備 3、低電阻開關，減少導電損耗 4、高雪崩電流。

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SP8K3-TB

N溝道增強型MOS管是把一塊低摻雜的P型半導體作為襯底，在襯底上面用分散的方法構成兩各重摻雜的N＋區，然后在P型半導體上生成很薄的一層二氧化硅絕緣層，然后在兩個重摻雜的N+區上端用光刻的方法刻蝕掉二氧化硅層，暴露N+區，較終在兩個N+區的外表以及它們之間的二氧化硅外表用蒸騰或者濺射的方法噴涂一層金屬膜，這三塊金屬膜構成了MOS管的三個電極，分別稱為源極(S)、柵極(G)和漏極(D)。

MOS管寄生電容結構如下，其中，多晶硅寬度、溝道與溝槽寬度、G極氧化層厚度、PN結摻雜輪廓等都是影響寄生電容的因素。。

BYM4610 BYM4640 BYM4875 BYM81080 BYM81095 BYM826 BYM8311 BYM8315 BYH8415 BYM8415 。

。MOSFET的特性能夠用搬運特性曲線和漏極輸出特性曲線來表征。圖3是某種場效應管的搬運特性。搬運特性是指在漏源之間的電壓UDS在某一固定值時，柵極電壓UGS與相對應的漏極電流ID之間的關系曲線。

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NCE2302D NCE2302F NCE1012E NCE2302B NCE2302 。

而在鋰電池保護板中重要的就是保護芯片和MOS管。

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