制造商:
Infineon
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
晶體管極性:
N-Channel
通道數量:
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
600 V
Id-連續漏極電流:
50 A
Rds On-漏源導通電阻:
10 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
4.5 V
Qg-柵極電荷:
318 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
694 W
通道模式:
Enhancement
封裝:
Reel
封裝:
Cut Tape
商標:
Infineon Technologies
產品類型:
MOSFET
工廠包裝數量:
750
子類別:
MOSFETs
零件號別名:
IPDQ60R010S7A SP002063384
同公司其他新聞- 09-26EC2-12NU通用 繼電器 DPDT（2 Form C） 通孔
- 09-26G5V-1-T90 DC5通用 繼電器 SPDT（1 Form C） 通孔
- 09-26AGQ200A24Z電信 繼電器 DPDT（2 Form C） 表面貼裝型
- 09-26G5V-1 DC12通用 繼電器 SPDT（1 Form C） 通孔
- 09-26AGN200S12Z
- 09-26EC2-3NU通用 繼電器 DPDT（2 Form C） 通孔
- 06-10STH12N120K5-2
- 06-10STY105NM50N
- 06-10STW45N65M5
- 06-10STM32F407VET6
- 06-10TXS0102DCUR
- 06-10TXS0102DCUR
