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NXV65HR82DS2

發布時間:2021/10/21 16:36:00 訪問次數:137 發布企業:深圳市科雨電子有限公司

制造商: onsemi
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: APMCA-16
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 4 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續漏極電流: 26 A
Rds On-漏源導通電阻: 82 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5 V
Qg-柵極電荷: 79.7 nC
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
Pd-功率耗散: 126 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標: onsemi
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 72
子類別: MOSFETs

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