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STW68N65DM6-4AG

發布時間:2021/10/21 17:28:00 訪問次數:122 發布企業:深圳市科雨電子有限公司

制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續漏極電流: 72 A
Rds On-漏源導通電阻: 39 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.75 V
Qg-柵極電荷: 118 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 480 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標名: MDmesh
封裝: Tube
商標: STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
工廠包裝數量: 600
子類別: MOSFETs
單位重量: 6.080 g

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