制造商:
STMicroelectronics
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
TO-263-3
晶體管極性:
N-Channel
通道數量:
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
650 V
Id-連續漏極電流:
18 A
Rds On-漏源導通電阻:
115 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
- 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
4.75 V
Qg-柵極電荷:
46 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
223 W
通道模式:
Enhancement
商標名:
MDmesh
封裝:
Reel
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
商標:
STMicroelectronics
下降時間:
8 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
3.3 ns
工廠包裝數量:
1000
子類別:
MOSFETs
晶體管類型:
1 N-Channel
典型關閉延遲時間:
46 ns
典型接通延遲時間:
17 ns
單位重量:
1.540 g
STH30N65DM6-7AG
發布時間:2021/10/21 17:30:00 訪問次數:121 發布企業:深圳市科雨電子有限公司
上一篇：STP80N240K6
下一篇：SCTH100N65G2-7AG
同公司其他新聞- 09-26EC2-12NU通用 繼電器 DPDT（2 Form C） 通孔
- 09-26G5V-1-T90 DC5通用 繼電器 SPDT（1 Form C） 通孔
- 09-26AGQ200A24Z電信 繼電器 DPDT（2 Form C） 表面貼裝型
- 09-26G5V-1 DC12通用 繼電器 SPDT（1 Form C） 通孔
- 09-26AGN200S12Z
- 09-26EC2-3NU通用 繼電器 DPDT（2 Form C） 通孔
- 06-10STH12N120K5-2
- 06-10STY105NM50N
- 06-10STW45N65M5
- 06-10STM32F407VET6
- 06-10TXS0102DCUR
- 06-10TXS0102DCUR
