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STB35N65DM2

發布時間:2021/10/21 17:32:00 訪問次數:145 發布企業:深圳市科雨電子有限公司

制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續漏極電流: 28 A
Rds On-漏源導通電阻: 94 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 56.3 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 W
通道模式: Enhancement
商標名: MDmesh
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
商標: STMicroelectronics
配置: Single
產品類型: MOSFET
系列: DM2
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
單位重量: 6 g

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