制造商:
STMicroelectronics
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
SiC
安裝風格:
Through Hole
晶體管極性:
N-Channel
通道數量:
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
1.2 kV
Id-連續漏極電流:
20 A
Rds On-漏源導通電阻:
239 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
3.5 V
Qg-柵極電荷:
45 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 200 C
Pd-功率耗散:
175 W
通道模式:
Enhancement
資格:
AEC-Q101
封裝:
Tube
商標:
STMicroelectronics
產品類型:
MOSFET
工廠包裝數量:
600
子類別:
MOSFETs
單位重量:
4.500 g
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