74ABT162500DLR_ABT16240A導讀

·更長的電池使用壽命和極高的輕載效率：較低的IQ消耗可為負載極輕(低于100?A)以及主要在待機/出廠模式(不切換)下工作的系統提供更長的電池壽命。。TPS62840的低IQ可以在1-?A的負載下實現80%的效率，比業界同類器件高出30%。

具有通信接口的系統通常需要一個外部專用集成電路(ASIC)或專用的主機控制微處理器，但這會降低設計架構的靈活性，增加復雜性，并占用電路板上的空間。 。而新推出的C2000 F2838x微控制器并不依賴外部ASIC，從而減小了整體解決方案的尺寸，并減少了所用的素材方面。

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。供應的Micron 9200系列SSD將3D NAND和NVME技術的功能融合到企業級存儲產品中。這些器件采用創新型架構，此架構在PCIe連接上結合NVMe協議，提供比SATA SSD較多快10倍的快速企業級閃存性能，以及節省電源和機架空間的3D NAND高密度存儲。

CVF51500JLF CAW101R50JLF CAW10R220JLF CAW533R0JLF PFC-W0805LF-03-1052-B 。

但5G不止于手機，在萬物互聯時代，必須提前搭建好一條條高速路，5G因此無可爭議地成為新基建之首。相比4G，5G在初始階段就明確規劃了三大應用場景：增強移動廣帶，其峰值速率將是4G網絡的10倍以上；海量機器通信，將實現從消費到生產的全環節、從人到物的全場景覆蓋；超高可靠低時延通信，通信響應速度將降至毫秒級。。

CAF56800JLF GS31001202JLF CAW102R20JLF CAF103302JLF CVW522R0JLF 。

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ADS7957SDBT

5B37 5B37-J-03 5B37-K-02 5B41-03 其他被動元件 6525ACA 700-TBR24 71006AE2 71008AE1 71010AE0 71021AE1 。

CAW5R680JLF CGH5503003F CAF102201JLF CVW5R220JLF CAW103300JLF 。

ACU2109 ACU2109RS3P1 ACU2109S3CTR ACU2109S3CTR IC ACU50572 ACU50750 ACU50750S3CTR ACU50751 ACU50752 ACY22 。

PFC-W0805LF-03-4751-B CAW10R100JLF CAW101500JLF CHP1-100-4641-F-7 CAW10R330JLF 。

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工作原理如下圖。典型的基本結構如上圖(a)，上下金屬電極中間夾著壓電層，對應的mBVD等效電路如上圖(b)，對應的阻抗如上圖(c)，可以看出有兩個resonance頻率，串聯(fs)和并聯(fp)。

無線電波(radio wave)，微波(microwave)，可見光，X射線，伽馬射線都屬于電磁波。物理上，波主要分為兩種，一種是電磁波(electromagnetic wave)，這種波不需要任何媒介，而是通過由較初的帶電粒子產生的電場和磁場的周期性震蕩來傳播，所以在真空中也可以傳播。

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