HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 類極其適用于硬切換和諧振模式應用，可提供帶有卓越強度的低柵極電荷。 該設備包含一個快速本質二極管且提供各種工業標準封裝，包括隔離類型，帶有額定值高達 1100V 和 70A。 典型應用包括直流－直流轉換器、電池充電器、開關模式和諧振模式電源、直流斬波器、溫度和照明控制。
快速本質整流器二極管
低 RDS（接通）和 QG（柵極電荷）
低本質柵極電阻
工業標準封裝
低封裝電感
高功率密度
IXYS 的一系列高級離散電源 MOSFET 設備
產品技術參數 屬性 數值IXFN44N100Q3通道類型 N
IXFN44N100Q3最大連續漏極電流 38 A
IXFN44N100Q3最大漏源電壓 1000 V
IXFN44N100Q3封裝類型 SOT-227B
IXFN44N100Q3安裝類型 面板安裝
IXFN44N100Q3引腳數目 4
IXFN44N100Q3最大漏源電阻值 220 mΩ
IXFN44N100Q3通道模式 增強
IXFN44N100Q3最大柵閾值電壓 6.5V
IXFN44N100Q3最大功率耗散 960 W
IXFN44N100Q3晶體管配置 單
IXFN44N100Q3最大柵源電壓 -30 V、+30 V
IXFN44N100Q3每片芯片元件數目 1
IXFN44N100Q3最高工作溫度 +150 °C
IXFN44N100Q3寬度 25.07mm
IXFN44N100Q3最低工作溫度 -55 °C
IXFN44N100Q3長度 38.23mm
IXFN44N100Q3高度 9.6mm
IXFN44N100Q3典型柵極電荷@Vgs 264 nC @ 10 V
IXFN44N100Q3系列 HiperFET, Q3-Class
