我們回過頭看下MOS結構，從下圖(1)可以看出，MOS中的氧化物O指的是二氧化硅SiO2，SiO2不導電，所以驅動極G基本不走電流，因此MOS功耗比較低，是電壓型驅動器件。
所以管子的穩定性和制造工藝密不可分，差的工藝可能導致這些小管的參數不那么一致。它們的各種開關動作幾乎是一致，當然燒壞時，肯定有先承受不了的小管先壞。
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057N08N
01N60J 02012.2R5% 020-354-901 020N03LS 。
04021.5K5% 04021.6K1% 04021.8K5% 040210K1% 0402200K5% 。
036N04L 0372BDP1 0372DP1 03N60C3 03P2J-T1 。
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
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1.5KA15A-E3/54
024N06N 028N08N 02CZ10 02DZ24-Y(TPH3 02DZ24-Y(TPH3,F) 。
060322R5% 0603270K5% 0603270R5% 060327K5% 0603330R5% 。
03P2J-T1-AZ 03P2M 03P2M-T 03P4J-T1 03P4J-T2 。
BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。
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開關只有兩種狀態通和斷，三極管和MOS管工作有三種狀態，1、截止，2、線性放大，3、飽和（基極電流繼續增加而集電極電流不再增加）。
使晶體管只工作在1和3狀態的電路稱之為開關電路，一般以晶體管截止，集電極不吸收電流表示關；以晶體管飽和，發射極和集電極之間的電壓差接近于0V時表示開。
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