STGWA50HP65FB2 溝槽柵場截止 HB2 系列 IGBT 圖片" class="right" height="153" src="https://www.digikey.cn/-/media/Images/Product%20Highlights/S/STMicroelectronics/STGWA50HP65FB2%20Trench%20Gate%20Field%20Stop%20HB2%20Series%20IGBTs/stmicroelectronics-STGWA50HP65FB2-trench-gate-field-stop-hb2-series-igbts.jpg?la=en&ts=18c320c1-6347-404e-b133-9e68551c3e84" width="200" title="STMicroelectronics STGWA50HP65FB2 Trench Gate Field Stop HB2 Series IGBTs" style="--tw-shadow:0 0 #0000;float:right;margin:0px 0px 10px 15px;max-width:100%;height:auto;" />STMicroelectronicsIGBT 650 V HB2 系列代表了先進的專有溝槽柵場截止結構的發展方向。由于低電流值時具有更好的 VCE(sat)表現,HB2 系列的傳導性能得到優化,并具有較低的開關能量。封裝內部帶有一個專門用于保護并與 IGBT 反向并聯的二極管。所得到的產品可最大限度地提高各種快速應用的效率。
特性 最高結溫:TJ= +175 °C IC= 20 A 時 VCE(sat)= 1.65 V(典型值) 封裝內帶有保護二極管 最小化尾電流 緊密的參數分布 熱阻低 正 VCE(sat)溫度系數STGWA20HP65FB2溝槽柵場
發布時間:2022/1/10 14:30:00 訪問次數:149 發布企業:深圳市鑫遠鵬科技有限公司
STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 系列代表了先進的專有溝槽柵場截止結構的發展方向
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