Transphorm 的 TP90H050WS 結合了最新的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術

TP90H050WS 900 V 50 mΩ GaN FET 在 TO-247 中圖片" class="right" src="https://www.digikey.cn/-/media/Images/Product%20Highlights/T/Transphorm/TP90H050WS%20900%20V%2050%20mohm%20GaN%20FET%20in%20TO-247/transphorm-TP90H050WS-900-v-50-mohm-gan-fet-in-to-247-200.jpg?la=en&ts=a1948048-2f53-4af7-85f5-6c5e0e40b461" width="157" title="Transphorm’s TP90H050WS 900 V 50 mΩ GaN FET in TO-247" style="--tw-shadow:0 0 #0000;float:right;margin:0px 0px 10px 15px;max-width:100%;height:auto;" />Transphorm的第二個 900 V GaN FET TP90H050WS 提供 50 mΩ 的典型導通電阻和一千伏瞬態尖峰額定值。該器件符合 JEDEC 認證，并采用堅固的 TO-247 封裝。使用 TP90H050WS 的電源系統在具有無橋圖騰柱功率因數校正 (PFC) 的典型半橋配置中，可以達到 99% 以上的效率，同時產生高達 10 kW 的功率。它適用于高壓電源應用，例如光伏逆變器、電池充電、不間斷電源、照明、能量存儲和三相電源系統。

特性 符合 JEDEC 標準的 GaN 技術 動態 RDS(on)eff生產測試 通過以下方式實現了穩健的設計： 本征使用壽命測試 寬柵極安全裕量 瞬態過壓能力 非常低的 QRR 降低了交越損耗 符合 RoHS 規范且無鹵素的封裝 優勢 支持交流/直流無橋圖騰柱 PFC 設計 功率密度更高 減小系統尺寸和重量 總體上降低了系統成本 在硬開關和軟開關電路中均實現更高的效率 使用常用的柵極驅動器易于驅動 GSD 引腳布局改善了高速設計