TAJB226K010RNJ_TAJB226K010RNJ導讀

同時還要注意IGBT有沒有體二極管，圖上沒有標出并不表示一定沒有，除非官方資料有特別說明，否則這個二極管都是存在的。

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TAJD108M002RNJ

MOSFET具有輸入阻抗高、開關速度快、熱穩定性好、電壓控制電流等特性，在電路中，可以用作放大器、電子開關等用途。 2）、防止MOS管的源極和漏極反接時燒壞MOS管，也可以在電路有反向感生電壓時，為反向感生電壓提供通路，避免反向感生電壓擊穿MOS管。關于寄生二極管的作用，有兩種解釋： 1）、MOSFET的寄生二極管，作用是防止VDD過壓的情況下，燒壞MOS管，因為在過壓對MOS管造成破壞之前，二極管先反向擊穿，將大電流直接到地，從而避免MOS管被燒壞。

SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。

06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。

IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導通電阻高的缺點，但IGBT克服了這一缺點，在高壓時IGBT仍具有較低的導通電阻。 IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能會慢于MOSFET，因為IGBT存在關斷拖尾時間，由于IGBT關斷拖尾時間長，死區時間也要加長，從而會影響開關頻率。MOS管和IGBT的結構特點 MOS管和IGBT管的內部結構如下圖所示。

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TLJN476M006R8300

BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。

BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。

0402220K5% 040222R5% 040225.5K1% 0402270R5% 04022K5% 。

060322R5% 0603270K5% 0603270R5% 060327K5% 0603330R5% 。

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使晶體管只工作在1和3狀態的電路稱之為開關電路，一般以晶體管截止，集電極不吸收電流表示關；以晶體管飽和，發射極和集電極之間的電壓差接近于0V時表示開。

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