TAJB226K016RNJ_TAJB226K016RNJ導讀
在電子電路中，MOS管和IGBT管會經常出現，它們都可以作為開關元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數也比較相似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用IGBT管？。MOS管和IGBT管的區別。
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TAJB156M006RNJ
IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導通電阻高的缺點，但IGBT克服了這一缺點，在高壓時IGBT仍具有較低的導通電阻。 IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能會慢于MOSFET，因為IGBT存在關斷拖尾時間，由于IGBT關斷拖尾時間長，死區時間也要加長，從而會影響開關頻率。MOS管和IGBT的結構特點 MOS管和IGBT管的內部結構如下圖所示。
BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。
TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。
06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。
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TLJA686M010R1500
051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。
BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。
040251K1% 040251R5% 040268K1% 04028.2K5% 0402E4872BITS 。
BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。
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NCE25TD135LT NCE15TD135LT NCE15TD120LP NCE15TD135LP NCE25TD120LP 。
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