TAJB475M016RNJ_TAJB475M016RNJ導讀

MOS管在硬件設計中經常使用到，下面是N型MOS管，包括柵極G，源極S，漏級D。

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TLJR226M006R3500

BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。

FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。

STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。

040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。

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TAJV158M004RNJ

0603180R5% 06031M5% 06032.2K5% 0603220R5% 060322K5% 。

BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

如果控制G的GPIO的電壓區域為1.8V，那么GPIO高電平的時候為1.8V，GS為1.8-2.8=-1V，mos管導通，不能夠關斷。這種情況下GPIO就不能夠控制mos管的導通和關閉。那么和G相連的GPIO高電平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管關斷，低電平使mos管導通。 GPIO為低電平的時候，假如0.1V，那么GS為0.1-2.8=-2.7V,mos管導通。

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總的來說，MOSFET優點是高頻特性好，可以工作頻率可以達到幾百kHz、上MHz，缺點是導通電阻大在高壓大電流場合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率場合下表現卓越，其導通電阻小，耐壓高。

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