TAJC476K010RNJ_TAJC476K010RNJ導讀

代表符號中的箭頭方向表示由P(襯底)指向N(溝道)。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數管子在出廠前已連接好)。圖(a)、(b)分別是它的結構示意圖和代表符號。在襯底上也引出一個電極B，這就構成了一個N溝道增強型MOS管。它的柵極與其它電極間是絕緣的。

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TAJA156K006RNJ

對于P型MOS管，若S的電壓比G處高（G、S間存在壓差，具體電平看具體MOS管 ），D、S之間就會導通（電壓方向S指向D），此時D、S間相當于一個很小的電阻，若G、S之間為低（具體電平看具體MOS管 ），D、S之間就會截止 ，此時D、S間相當于一個很大的電阻，電流就無法流過。

IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能會慢于MOSFET，因為IGBT存在關斷拖尾時間，由于IGBT關斷拖尾時間長，死區時間也要加長，從而會影響開關頻率。 IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導通電阻高的缺點，但IGBT克服了這一缺點，在高壓時IGBT仍具有較低的導通電阻。MOS管和IGBT的結構特點 MOS管和IGBT管的內部結構如下圖所示。

SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。

TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。

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TAJB226M010RNJ

1、P溝道mos管作為開關，柵源的閥值為-0.4V，當柵源的電壓差為-0.4V就會使DS導通，如果S為2.8V，G為1.8V，那么GS=-1V，mos管導通，D為2.8V 如果S為2.8V，G為2.8V，VGSw 那么mos管不導通，D為0V，所以，如果2.8V連接到S，要mos管導通為系統供電，系統連接到D，利用G控制。

如果控制G的GPIO的電壓區域為1.8V，那么GPIO高電平的時候為1.8V，GS為1.8-2.8=-1V，mos管導通，不能夠關斷。這種情況下GPIO就不能夠控制mos管的導通和關閉。那么和G相連的GPIO高電平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管關斷，低電平使mos管導通。 GPIO為低電平的時候，假如0.1V，那么GS為0.1-2.8=-2.7V,mos管導通。

BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。

0603180R5% 06031M5% 06032.2K5% 0603220R5% 060322K5% 。

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總的來說，MOSFET優點是高頻特性好，可以工作頻率可以達到幾百kHz、上MHz，缺點是導通電阻大在高壓大電流場合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率場合下表現卓越，其導通電阻小，耐壓高。

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