TAJC476M016RNJ_TAJC476M016RNJ導讀

由p型襯底和兩個高濃度n擴散區構成的MOS管叫作n溝道MOS管，該管導通時在兩個高濃度n擴散區間形成n型導電溝道。n溝道增強型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時才有導電溝道產生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加柵壓（柵源電壓為零）時，就有導電溝道產生的n溝道MOS管。

TAJC476M016RNJ_TAJC476M016RNJ" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113473287328.jpg" />

TAJB156M020RNJ

MOS管和三極管類似，只不過 MOS管是壓控壓型（電壓控制），而三極管是流控流型（電流控制）。。至于MOS管的使用，N型與P型存在區別，對于應用，我們只需要知道： 1、對于N型MOS管，若G的電壓比S處高（G、S間存在壓差，具體電平看具體MOS管 ），D、S（電壓方向D指向S）之間就會導通，此時D、S間相當于一個很小的電阻，若G、S之間為低（具體電平看具體MOS管 ），D、S之間就會截止，此時D、S間相當于一個很大的電阻，電流就無法流過。

06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。

BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。

057N08N 057N08NS 05852- 06000,, 06031.5K5% 。

TAJC476M016RNJ_TAJC476M016RNJ" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113372847284.jpg" />

TAJD226M025RNJ

BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。

BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。

如果控制G的GPIO的電壓區域為1.8V，那么GPIO高電平的時候為1.8V，GS為1.8-2.8=-1V，mos管導通，不能夠關斷。這種情況下GPIO就不能夠控制mos管的導通和關閉。那么和G相連的GPIO高電平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管關斷，低電平使mos管導通。 GPIO為低電平的時候，假如0.1V，那么GS為0.1-2.8=-2.7V,mos管導通。

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

TAJC476M016RNJ_TAJC476M016RNJ" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/2021071011340566566.jpg" />

導通時序可分為to~t1、t1~t2、 t2~t3 、t3~t4四個時間段，這四個時間段有不同的等效電路。

相關資訊