類別
分立半導體產品
晶體管-FET，MOSFET-單個
制造商
DiodesIncorporated
系列
-
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
零件狀態
在售
FET類型
N通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
25°C時電流-連續漏極(Id)
115mA（Ta）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
5V，10V
不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）
7.5歐姆@50mA，5V
不同Id時Vgs(th)（最大值）
2.5V@250μA
Vgs（最大值）
±20V
不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）
50pF@25V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
370mW（Ta）
工作溫度
-55°C~150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SOT-23-3
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本產品編號
2N7002
N76E003AT20
MS51FB9AE
