DMG2301L-7

類別 Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 -
包裝 Tape & Reel (TR)
零件狀態 Active
FET 類型 P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 3A (Ta)
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V, 4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 5.5nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 476pF @ 10V
Vgs（最大值） ±8V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.5W (Ta)
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 120 mOhm @ 2.8A, 4.5V
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 Surface Mount
供應商器件封裝 SOT-23
封裝/外殼 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
其他信息
標準包裝數 3,000