SI2315BDS-T1-E3

類別 Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 TrenchFET®
包裝 Tape & Reel (TR)
零件狀態 Active
FET 類型 P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓（Vdss） 12V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 3A (Ta)
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V, 4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 900mV @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 715pF @ 6V
Vgs（最大值） ±8V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 750mW (Ta)
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 50 mOhm @ 3.85A, 4.5V
工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型 Surface Mount
供應商器件封裝 SOT-23-3 (TO-236)
封裝/外殼 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
其他信息
標準包裝數 3,000
其他名稱 SI2315BDS-T1-E3TR
SI2315BDST1E3