類別
分立半導體產品
晶體管-FET，MOSFET-單個
制造商
InfineonTechnologies
系列
HEXFET
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
零件狀態
在售
FET類型
P通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
55V
25°C時電流-連續漏極(Id)
11A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
10V
不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）
175毫歐@6.6A，10V
不同Id時Vgs(th)（最大值）
4V@250μA
不同Vgs時柵極電荷(Qg)（最大值）
19nC@10V
Vgs（最大值）
±20V
不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）
350pF@25V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
38W（Tc）
工作溫度
-55°C~150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D-Pak
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
基本產品編號
IRFR9024
TPS65982ABZQZR
S-80833CNMC-B8ST2G
S-80834CNMC-B8ST2G
