類別
分立半導體產品
晶體管-FET，MOSFET-單個
制造商
InfineonTechnologies
系列
HEXFET
包裝
管件
零件狀態
在售
FET類型
N通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
75V
25°C時電流-連續漏極(Id)
195A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
10V
不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）
1.85毫歐@195A，10V
不同Id時Vgs(th)（最大值）
4V@250μA
不同Vgs時柵極電荷(Qg)（最大值）
570nC@10V
Vgs（最大值）
±20V
不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）
19230pF@50V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
520W（Tc）
工作溫度
-55°C~175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247AC
封裝/外殼
TO-247-3
基本產品編號
IRFP4368
RTL8771BFC-CGT
NJG1144KA1-TE1
MXDLN16U
MT9102ET
