TAJE227M010RNJ_TAJE227M010RNJ導讀

這時候，我們選用標稱gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風險。當使用5V電源，這時候如果使用傳統的圖騰柱結構，由于三極管的be有0.7V左右的壓降，導致實際最終加在gate上的電壓只有4.3V。

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TAJB224K050RNJ

BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。

040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。

。這就提出一個要求，需要使用一個電路，讓低壓側能夠有效的控制高壓側的MOS管，同時高壓側的MOS管也同樣會面對1和2中提到的問題。在這三種情況下，圖騰柱結構無法滿足輸出要求，而很多現成的MOS驅動IC，似乎也沒有包含gate電壓限制的結構。

在這種情況下，當提供的驅動電壓超過穩壓管的電壓，就會引起較大的靜態功耗。為了讓MOS管在高gate電壓下安全，很多MOS管內置了穩壓管強行限制gate電壓的幅值。

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TAJD337K002RNJ

BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。

BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。

在一些控制電路中，邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數字電壓，而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個電壓采用共地方式連接。

市面上常有的一般為N溝道和P溝道，而P溝道常見的為低壓MOS管。FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。

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NCE8205B NCE8205 NCE8205i NCE8205E NCE9926 。

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