TAJE336K035RNJ_TAJE336K035RNJ導讀

針對這種需求，新潔能生產出內阻小，抗過電流能力好的N溝道溝槽工藝MOS管——NCE80H12，NCE80H12的導通電阻小于6mΩ，輸出電流可達120A，電機扭矩較好，。

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TAJD227M010RNJ

Q1和Q2組成了一個反置的圖騰柱，用來實現隔離，同時確保兩只驅動管Q3和Q4不會同時導通。

必要的時候可以在R4上面并聯加速電容。R1提供了對Q3和Q4的基極電流限制，R4提供了對MOS管的gate電流限制，也就是Q3和Q4的Ice的限制。。

057N08N 057N08NS 05852- 06000,, 06031.5K5% 。

SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。

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TAJE158K004RNJ

0603180R5% 06031M5% 06032.2K5% 0603220R5% 060322K5% 。

場效應管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。

060322R5% 0603270K5% 0603270R5% 060327K5% 0603330R5% 。

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

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NCE25TD135LP NCE1608N NCE18ND11U NCE3134 NCE20ND07U 。

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