TAJV687M010RNJ_TAJV687M010RNJ導讀

上面就是功率mos管NCE80H12的規格書，我們電動車控制器上用的功率mos管NCE80H12其實和平常cmos集成電路中的小功率mos結構是不一樣的。

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TAJC157K004RNJ

AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。

在這種情況下，當提供的驅動電壓超過穩壓管的電壓，就會引起較大的靜態功耗。為了讓MOS管在高gate電壓下安全，很多MOS管內置了穩壓管強行限制gate電壓的幅值。

FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。

TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。

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TLJW157M010R0150

BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。

MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能，這樣的器件被認為是對稱的。

在一些控制電路中，邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數字電壓，而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個電壓采用共地方式連接。

另一種晶體管叫做場效應管 (FET) ，把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比 (beta) 。

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]區間,MOSFET的DS電壓降至與Vgs相同,產生Millier效應，Cgd電容大大增加,柵極電流持續流過，由于C gd 電容急劇增大，抑制了柵極電壓對Cgs 的充電,從而使得Vgs 近乎水平狀態，Cgd 電容上電壓增加,而DS電容上的電壓繼續減小。

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