TLJA107M010R1400_TLJA107M010R1400導讀

這時候，我們選用標稱gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風險。當使用5V電源，這時候如果使用傳統的圖騰柱結構，由于三極管的be有0.7V左右的壓降，導致實際最終加在gate上的電壓只有4.3V。

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TAJV226M050RNJ

040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。

FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。

AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。

TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。

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TAJC686M006RNJ

BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。

場效應管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。

BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。

MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能，這樣的器件被認為是對稱的。

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導通時序可分為to~t1、t1~t2、 t2~t3 、t3~t4四個時間段，這四個時間段有不同的等效電路。

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