IPD50N04S4-10

類別
分立半導體產品
晶體管-FET，MOSFET-單個
制造商
InfineonTechnologies
系列
OptiMOS
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
產品狀態
在售
FET類型
N通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40V
25°C時電流-連續漏極(Id)
50A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
10V
不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）
9.3毫歐@50A，10V
不同Id時Vgs(th)（最大值）
4V@15μA
不同Vgs時柵極電荷(Qg)（最大值）
18.2nC@10V
Vgs（最大值）
±20V
不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）
1430pF@25V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
41W（Tc）
工作溫度
-55°C~175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TO252-3-313
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
基本產品編號
IPD50N04

MCIMX6V7DVN10AB
STM8S207CBT6
VNH7040AYTR
S9S12GN48F1VLC
TLE4291E
BTS5090-2EKA
TK31A60W