STP3N150
Brand Name
STMicroelectronics
生命周期
Active
Objectid
1647238707
零件包裝代碼
TO-220AB
包裝說明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
針數
3
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代碼
EAR99
Factory Lead Time
50 weeks
風險等級
1.59
Samacsys Manufacturer
STMicroelectronics
雪崩能效等級(Eas)
450 mJ
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
1500 V
最大漏極電流 (Abs) (ID)
2.5 A
最大漏極電流 (ID)
2.5 A
最大漏源導通電阻
9 Ω
FET 技術
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-220AB
JESD-30 代碼
R-PSFM-T3
JESD-609代碼
e3
元件數量
1
端子數量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
150 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
FLANGE MOUNT
峰值回流溫度(攝氏度)
NOT SPECIFIED
極性/信道類型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
140 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)
10 A
認證狀態
Not Qualified
子類別
FET General Purpose Power
表面貼裝
NO
端子面層
Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間
NOT SPECIFIED
晶體管應用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON