SI4401FDY-T1-GE3

類別
分立半導體產品
晶體管-FET，MOSFET-單個
制造商
VishaySiliconix
系列
TrenchFETGenIII
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
產品狀態
在售
FET類型
P通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40V
25°C時電流-連續漏極(Id)
9.9A（Ta），14A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
4.5V，10V
不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）
14.2毫歐@10A，10V
不同Id時Vgs(th)（最大值）
2.3V@250μA
不同Vgs時柵極電荷(Qg)（最大值）
100nC@10V
Vgs（最大值）
±20V
不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）
4000pF@20V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），5W（Tc）
工作溫度
-55°C~150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-SO
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
基本產品編號
SI4401

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