TLJF337M006R0300_TLJF337M006R0300導讀

這個內阻大小基本決定了MOS管芯片能承受得多大導通電流（當然和其它因素有關，如熱阻）。內阻越小承受電流越大（因為發熱小）。這個電流通路的電阻被稱為MOS管內阻，也就是導通電阻。

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TAJC106M020RNJ

06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。

FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。

AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。

放大狀態:當加在三極管發射結的電壓大于PN結的導通電壓，三極管的發射結正向偏置,集電結反向偏置，這時基極電流對集電極電流起著控制作用，使三極管具有電流放大作用。

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TAJV108K004RNJ

在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能，這樣的器件被認為是對稱的。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。

FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，而P溝道常見的為低壓MOS管。

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。

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NCE25TD135LT NCE15TD135LT NCE15TD120LP NCE15TD135LP NCE25TD120LP 。

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