TLJK226M010R1800_TLJK226M010R1800導讀

而電動車上上用的功率mos是立體結構。我們所見的mos管，其實內部由成千上萬個小mos管并聯而成，大家可能會想成千上萬個小mos應該很容易出現一個或幾個壞的吧，其實真沒那么容易，目前的制造工藝基本保證了這些小單位各種參數高度一致性。小功率mos是平面型結構。

TLJK226M010R1800_TLJK226M010R1800" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113479907990.jpg" />

TAJC686M006RNJ

AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。

SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。

·對微弱的信號進行放大：基極輸入一個很小的信號就會引起集電極很大的電流變化，這是電子電路中一個最重要也是最核心的部分。

060310R5% 060312K5% 060315K1% 060315K5% 0603180K5% 。

TLJK226M010R1800_TLJK226M010R1800" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/2021071011340566566.jpg" />

TAJD337K006RNJ

在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能，這樣的器件被認為是對稱的。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。

BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。

FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，而P溝道常見的為低壓MOS管。

BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。

TLJK226M010R1800_TLJK226M010R1800" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113372847284.jpg" />

NCE20ND06 NCE2008N NCE2312 NCE2312A NCE8205A 。

相關資訊