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Si7898DP-T1-GE3

發布時間:2022/6/20 15:10:00 訪問次數:76

參數名稱 參數值
是否無鉛 不含鉛不含鉛
生命周期 Active
Objectid 2039655285
零件包裝代碼 SOT
包裝說明 SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5
針數 8
Reach Compliance Code unknown
ECCN代碼 EAR99
風險等級 1.64
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 150 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 3 A
最大漏極電流 (ID) 3 A
最大漏源導通電阻 0.085 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼 R-XDSO-C5
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 5
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
最低工作溫度 -55 °C
封裝主體材料 UNSPECIFIED
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度(攝氏度) 260
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 5 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 25 A
認證狀態 Not Qualified
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 YES
端子面層 Matte Tin (Sn)
端子形式 C BEND
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 40
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON

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