Source Content uid IRF7820TRPBF
是否Rohs認證
符合
生命周期 Active
Objectid 8149203142
包裝說明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 65 weeks
風險等級 1.24
Samacsys Description Infineon IRF7820TRPBF N-channel MOSFET, 3.7 A, 200 V HEXFET, 8-Pin SOIC
Samacsys Manufacturer Infineon
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 200 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 3.7 A
最大漏極電流 (ID) 3.7 A
最大漏源導通電阻 0.078 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 MS-012AA
JESD-30 代碼 R-PDSO-G8
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2.5 W
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 YES
端子面層 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
