參數名稱 參數值
Source Content uid STB45N65M5
Brand Name STMicroelectronics
生命周期 Active
Objectid 1252125953
包裝說明 ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 52 weeks
風險等級 2.18
Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
其他特性 ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等級（Eas） 810 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 650 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 35 A
最大漏極電流 (ID) 35 A
最大漏源導通電阻 0.078 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-220AB
JESD-30 代碼 R-PSFM-T3
元件數量 1
端子數量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 210 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 140 A
子類別 FET General Purpose Powers
表面貼裝 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON