BSP149H6327XTSA1

類別
分立半導體產品
晶體管-FET，MOSFET-單個
制造商
InfineonTechnologies
系列
SIPMOS
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
產品狀態
在售
FET類型
N通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
200V
25°C時電流-連續漏極(Id)
660mA（Ta）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
0V，10V
不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）
1.8歐姆@660mA，10V
不同Id時Vgs(th)（最大值）
1V@400μA
不同Vgs時柵極電荷(Qg)（最大值）
14nC@5V
Vgs（最大值）
±20V
不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）
430pF@25V
FET功能
耗盡模式
功率耗散（最大值）
1.8W（Ta）
工作溫度
-55°C~150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-SOT223-4
封裝/外殼
TO-261-4，TO-261AA
基本產品編號
BSP149

STPS140Z,(ST)
NTR4502PT1G,(ON)
MIC1557YM5-TR(MICROCHIP)
STR1550(ST)
NCP303LSN30T1G,(ON)
MBRS360T3G,(ON)
MBRS3100T3G,(ON)
2N7002-7-F,(DIODES)
TEA19161T/2Y,(NXP)
L78L33ABUTR, (ST)