IPD60R180P7S
參數名稱
參數值
是否Rohs認證
符合
生命周期
Active
Objectid
8299739413
包裝說明
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代碼
EAR99
風險等級
5.79
雪崩能效等級(Eas)
56 mJ
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
600 V
最大漏源導通電阻
0.18 Ω
FET 技術
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-252
JESD-30 代碼
R-PSSO-G2
JESD-609代碼
e3
濕度敏感等級
3
元件數量
1
端子數量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最低工作溫度
-40 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度(攝氏度)
NOT SPECIFIED
極性/信道類型
N-CHANNEL
最大脈沖漏極電流 (IDM)
53 A
表面貼裝
YES
端子面層
Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間
NOT SPECIFIED
晶體管應用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
IPD60R180P7S
發布時間:2022/7/6 9:50:00 訪問次數:47