IPD75N04S406ATMA1

類別
分立半導體產品
晶體管-FET，MOSFET-單個
制造商
InfineonTechnologies
系列
Automotive,AEC-Q101,OptiMOS
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
產品狀態
在售
FET類型
N通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40V
25°C時電流-連續漏極(Id)
75A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
10V
不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）
5.9毫歐@75A，10V
不同Id時Vgs(th)（最大值）
4V@26μA
不同Vgs時柵極電荷(Qg)（最大值）
32nC@10V
Vgs（最大值）
±20V
不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）
2550pF@25V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
58W（Tc）
工作溫度
-55°C~175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TO252-3-313
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
基本產品編號
IPD75N04

TEA19162T/2
TEA19161T
ATA6561-GAQW-N
LM317MBSTT3G
TS3DV642A0RUAR
PI3WVR12412ZHEX
NVMFS5C682NLAFT1G