IKQ75N120CH3

類別
分立半導體產品
晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包裝
管件
產品狀態
在售
IGBT 類型
-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
1200 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）
150 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)
300 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）
2.35V @ 15V，75A
功率 - 最大值
938 W
開關能量
6.4mJ（開），2.8mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
370 nC
25°C 時 Td（開/關）值
34ns/282ns
測試條件
600V，75A，6 歐姆，15V
工作溫度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商器件封裝
PG-TO247-3-46
基本產品編號
IKQ75N120


TPS767D318PWPR
LV2843DDCR
MP3215DJ-LF-Z
TPS62160DSGR
STM32F100CBT6B
NTTFS5826NLTAG
IKW40N65ES5