品牌：英飛凌
電流：200A
電壓：1200V
工作溫度(Max)：125 ℃
工作溫度(Min)：-40 ℃
安裝方式：螺絲型
包裝方式：標準封裝
貨期期：2天
庫存：600
發貨地：江蘇蘇州
蘇州銀邦電子科技有限公司：
代理功率半導體產品及配套器件，IGBT以及配套驅動網上供應商。公司憑借多年的從業經驗、不懈的開拓精神及
良好的商業信譽，在電力電子行業樹立了良好的企業形象，同時與多家電力電子企業和上市公司長期保持著穩定
互信的合作關系，也是眾多電子廠商（富士、三菱、英飛凌、西門康，艾塞斯，尼爾，ABB，西瑪，三社、宏微等）
的誠信代理商。通過多年的實戰經驗，公司積累了堅實的功率半導體應用知識，為電力拖動、風力發電、電焊機、
電力機車等行業提供完善的解決方案，為客戶提供技術支持！ 代理品牌：
1、富士、英飛凌、三菱、西門康全系列IGBT產品；
2、富士、三菱、英飛凌、西門康、仙童、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、單管、整流橋產品；
3、CONCEPT、IDC驅動片及驅動板；
4、巴斯曼（BUSSMANN)，西門子，日之出等品牌熔斷器、底座、熔芯等；
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,
兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，
載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、
牽引傳動等領域。
簡單來說，IGBT相當于一個由MOSFET驅動的厚基區PNP型晶體管，它的簡化等效電路如圖(b)所示，圖中的RN為PNP晶體管基區內的調制電阻。從該等效電路可以清楚地看出，
IGBT是用晶體管和MOSFET組成的達林頓結構的復合器件。岡為圖中的晶體管為PNP型晶體管，MOSFET為N溝道場效應晶體管，所以這種結構的IGBT稱為N溝道IIGBT，
其符號為N-IGBT。類似地還有P溝道IGBT，即P- IGBT。
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