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BSM300GA120DN2

發布時間:2022/7/15 11:22:00 訪問次數:74 發布企業:蘇州銀邦電子科技有限公司

BSM300GA120DN2


品牌:英飛凌

工作溫度(Max):125 ℃

工作溫度(Min):-40 ℃

電流:300A

電壓:1200V


安裝方式:螺絲型

包裝方式:標準封裝

貨期期:2天

庫存:600
發貨地:江蘇蘇州

蘇州銀邦電子科技有限公司:


代理功率半導體產品及配套器件,IGBT以及配套驅動網上供應商。公司憑借多年的從業經驗、不懈的開拓精神及
良好的商業信譽,在電力電子行業樹立了良好的企業形象,同時與多家電力電子企業和上市公司長期保持著穩定

互信的合作關系,也是眾多電子廠商(富士、三菱、英飛凌、西門康,艾塞斯,尼爾,ABB,西瑪,三社、宏微等)

的誠信代理商。通過多年的實戰經驗,公司積累了堅實的功率半導體應用知識,為電力拖動、風力發電、電焊機、

電力機車等行業提供完善的解決方案,為客戶提供技術支持! 代理品牌:
1、富士、英飛凌、三菱、西門康全系列IGBT產品;
2、富士、三菱、英飛凌、西門康、仙童、ABB、三社、IR、IXYS、可控硅、單管、整流橋產品;
3、CONCEPT、IDC驅動片及驅動板;
4、巴斯曼(BUSSMANN),西門子,日之出等品牌熔斷器、底座、熔芯等;



IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,

兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,

載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、

牽引傳動等領域。
簡單來說,IGBT相當于一個由MOSFET驅動的厚基區PNP型晶體管,它的簡化等效電路如圖(b)所示,圖中的RN為PNP晶體管基區內的調制電阻。從該等效電路可以清楚地看出,

IGBT是用晶體管和MOSFET組成的達林頓結構的復合器件。岡為圖中的晶體管為PNP型晶體管,MOSFET為N溝道場效應晶體管,所以這種結構的IGBT稱為N溝道IIGBT,

其符號為N-IGBT。類似地還有P溝道IGBT,即P- IGBT。
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