參數名稱 參數值
Source Content uid BSS127H6327XTSA2
是否無鉛 不含鉛
是否Rohs認證 符合
生命周期 Active
Objectid 1299750641
包裝說明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
針數 3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 40 weeks 4 days
風險等級 1.76
Samacsys Description N-Channel MOSFET, 21 mA, 600 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS127H6327XTSA2
Samacsys Manufacturer Infineon
其他特性 LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 600 V
最大漏極電流 (ID) 0.021 A
最大漏源導通電阻 600 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反饋電容 (Crss) 1.5 pF
JESD-30 代碼 R-PDSO-G3
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
最低工作溫度 -55 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 N-CHANNEL
認證狀態 Not Qualified
表面貼裝 YES
端子面層 Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管元件材料 SILICON