參數名稱 參數值
Source Content uid IRF630NPBF
是否Rohs認證
符合
生命周期 Active
Objectid 8006007269
包裝說明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 52 weeks
風險等級 0.99
Samacsys Description IRF630NPBF N-Channel MOSFET, 9.3 A, 200 V HEXFET, 3-Pin TO-220AB Infineon
Samacsys Manufacturer Infineon
其他特性 AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等級（Eas） 94 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 200 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 9.3 A
最大漏極電流 (ID) 9.3 A
最大漏源導通電阻 0.3 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-220AB
JESD-30 代碼 R-PSFM-T3
JESD-609代碼 e3
元件數量 1
端子數量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 175 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 FLANGE MOUNT
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 82 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 37 A
認證狀態 Not Qualified
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 NO
端子面層 MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
