STW18N60DM2

類別
分立半導體產品
晶體管-FET，MOSFET-單個
制造商
STMicroelectronics
系列
MDmeshDM2
包裝
管件
產品狀態
在售
FET類型
N通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
25°C時電流-連續漏極(Id)
12A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
10V
不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）
295毫歐@6A，10V
不同Id時Vgs(th)（最大值）
5V@250μA
不同Vgs時柵極電荷(Qg)（最大值）
20nC@10V
Vgs（最大值）
±25V
不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）
800pF@100V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
90W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247-3
封裝/外殼
TO-247-3
基本產品編號
STW18

88SE9215A1-NAA2C000
MLX90365LGO-ABD-000-RE
TJA1051T/3.118
NCP45560IMNTWG-L
NCV4275CDT50RKG
NTJD4001NT1G
ECW-U4104V17
BD4275FPJ-CE2
TSC2010HYDT
FDN359BN