品牌：英飛凌
電流：1000A
電壓：1200V
工作溫度(Max)：125 ℃
工作溫度(Min)：-40 ℃
安裝方式：螺絲型
包裝方式：標準封裝
貨期期：2天
庫存：600
發貨地：江蘇蘇州
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率
半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，
開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的
變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。簡單來說，IGBT相當于一個由MOSFET驅動的厚基區PNP型晶體管，
它的簡化等效電路如圖(b)所示，圖中的RN為PNP晶體管基區內的調制電阻。從該等效電路可以清楚地看出，
IGBT是用晶體管和MOSFET組成的達林頓結構的復合器件。岡為圖中的晶體管為PNP型晶體管，MOSFET為N溝道場效應晶體管，所以這種結構的IGBT
稱為N溝道IIGBT，其符號為N-IGBT。類似地還有P溝道IGBT，即P- IGBT。
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