制造商 Infineon Technologies
系列 CoolMOS™
包裝 管件
產品狀態 不適用于新設計
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 600 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 20.2A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 190 毫歐 @ 9.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 3.5V @ 630μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 63 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 1400 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 151W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 PG-TO220-3
封裝/外殼 TO-220-3
基本產品編號 IPP60R190
