IPP60R190C6XKSA1

類別
分立半導體產品
晶體管-FET，MOSFET-單個
制造商
InfineonTechnologies
系列
CoolMOS
包裝
管件
產品狀態
不適用于新設計
FET類型
N通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
25°C時電流-連續漏極(Id)
20.2A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
10V
不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）
190毫歐@9.5A，10V
不同Id時Vgs(th)（最大值）
3.5V@630μA
不同Vgs時柵極電荷(Qg)（最大值）
63nC@10V
Vgs（最大值）
±20V
不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）
1400pF@100V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
151W（Tc）
工作溫度
-55°C~150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
PG-TO220-3
封裝/外殼
TO-220-3
基本產品編號
IPP60R190

BSC007N04LS6
IPW60R120P7(SP001658382)
BSC030N08NS5
BSC0805LS
BSC028N06NS
PP320N20N3G
SPA20N60C3