制造商 Infineon 產品種類 MOSFET RoHS 是 安裝風格 SMD/SMT 封裝 / 箱體 TO-263-3 通道數量 1 Channel 晶體管極性 N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓 40 V Id-連續漏極電流 100 A Rds On-漏源導通電阻 2.1 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓 2 V Qg-柵極電荷 90 nC 最小工作溫度 - 55 C 最大工作溫度 + 175 C Pd-功率耗散 115 W 配置 Single 通道模式 Enhancement 資格 AEC-Q101 高度 4.4 mm 長度 10 mm 系列 OptiMOS-T2 晶體管類型 1 N-Channel 寬度 9.25 mm 下降時間 21 ns 上升時間 13 ns 典型關閉延遲時間 19 ns 典型接通延遲時間 18 ns 零件號別名 IPB100N04S4H2ATMA1 SP000711274 IPB1N4S4H2XT IPB100 單位重量 4 g 可售賣地 全國
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